Caractéristiques électriques du transistor 2SD1682-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 2.5 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 140 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD1682-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1682-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1682 est compris entre 100 à 560, celui du 2SD1682-S entre 140 à 280, celui du 2SD1682-T entre 200 à 400, celui du 2SD1682-U entre 280 à 560.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1682-R peut n'être marqué que D1682-R.
Complémentaire du transistor 2SD1682-R
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1682-R est le 2SB1142-R.
Version SMD du transistor 2SD1682-R
Le 2SD1623 (SOT-89) et 2SD1623-R (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SD1682-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1682-R