Transistor bipolaire 2SD1616A-U

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1616A-U

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 300 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 160 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SD1616A-U

Le 2SD1616A-U est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1616A-U peut avoir un gain en courant continu de 300 à 600. Le gain en courant continu du 2SD1616A est compris entre 135 à 400, celui du 2SD1616A-K entre 200 à 400, celui du 2SD1616A-L entre 135 à 270.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1616A-U peut n'être marqué que D1616A-U.

Complémentaire du transistor 2SD1616A-U

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1616A-U est le 2SB1116A-U.
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