Caractéristiques électriques du transistor 2SD1616A-L
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 120 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
Gain de courant (hfe): 135 à 270
Fréquence de transition minimum: 160 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SD1616A-L
Le 2SD1616A-L est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1616A-L peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du 2SD1616A est compris entre 135 à 400, celui du 2SD1616A-K entre 200 à 400, celui du 2SD1616A-U entre 300 à 600.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1616A-L peut n'être marqué que D1616A-L.
Complémentaire du transistor 2SD1616A-L
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1616A-L est le 2SB1116A-L.
Version SMD du transistor 2SD1616A-L
Le 2SD1615A (SOT-89) et 2SD1615A-GQ (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SD1616A-L.