Transistor bipolaire 2SD1615-GL

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1615-GL

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 160 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1615-GL

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1615-GL peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SD1615 est compris entre 135 à 600, celui du 2SD1615-GK entre 300 à 600, celui du 2SD1615-GM entre 135 à 270.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1615-GL peut n'être marqué que D1615-GL.

Complémentaire du transistor 2SD1615-GL

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1615-GL est le 2SB1115-YL.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1615-GL

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1615-GL par 2SD1615A, 2SD1615A-GP, 2SD1622, 2SD1622-T, 2SD1623, 2SD1623-T, 2SD1624, 2SD1624-T, 2STF1360 ou 2STF1550.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com