Transistor bipolaire 2SD1264A-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1264A-P

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SD1264A-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1264A-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 240. Le gain en courant continu du 2SD1264A est compris entre 60 à 240, celui du 2SD1264A-Q entre 60 à 140.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1264A-P peut n'être marqué que D1264A-P.

Complémentaire du transistor 2SD1264A-P

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1264A-P est le 2SB940A-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1264A-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1264A-P par 2SC4382, 2SC4883A, 2SC5171, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, KTD2061, MJE15032, MJE15032G, MJE15034 ou MJE15034G.
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