Transistor bipolaire 2SD1220
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1220
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
- Tension collecteur-base maximum: 150 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 320
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-251
Brochage du 2SD1220
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD1220
Version SMD du transistor 2SD1220
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