Transistor bipolaire 2SD1211-R
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1211-R
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 130 à 220
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SD1211-R
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1211-R
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com