Transistor bipolaire 2SD1211-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1211-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 130 à 220
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD1211-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1211-R peut avoir un gain en courant continu de 130 à 220. Le gain en courant continu du 2SD1211 est compris entre 130 à 330, celui du 2SD1211-S entre 185 à 330.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1211-R peut n'être marqué que D1211-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1211-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1211-R par 2N5551C, 2SC2235, 2SC2235-Y, 2SC2383, 2SC3228, 2SC3332, KSC1009C, KSC1009CY, KSC2316, KSC2316Y, KSC2383, KTC1027, KTC1027-O, KTC1027-Y ou KTC3228.
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