Caractéristiques électriques du transistor 2SD1047-D
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
Tension collecteur-base maximum: 160 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 12 A
Dissipation de puissance maximum: 100 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 15 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -40 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SD1047-D
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1047-D peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD1047 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1047-E entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1047-D peut n'être marqué que D1047-D.
Complémentaire du transistor 2SD1047-D
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1047-D est le 2SB817-D.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1047-D