Caractéristiques électriques du transistor 2SC5196
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 6 A
Dissipation de puissance maximum: 60 W
Gain de courant (hfe): 55 à 160
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SC5196
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC5196 peut avoir un gain en courant continu de 55 à 160. Le gain en courant continu du 2SC5196O est compris entre 80 à 160, celui du 2SC5196R entre 55 à 100.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC5196 peut n'être marqué que C5196.
Complémentaire du transistor 2SC5196
Le transistor PNP complémentaire du 2SC5196 est le 2SA1939.
Version SMD du transistor 2SC5196
Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SC5196.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC5196