Transistor bipolaire KTD718B

Caractéristiques électriques du transistor KTD718B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 55 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 12 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du KTD718B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD718B peut avoir un gain en courant continu de 55 à 160. Le gain en courant continu du KTD718B-O est compris entre 80 à 160, celui du KTD718B-R entre 55 à 110.

Complémentaire du transistor KTD718B

Le transistor PNP complémentaire du KTD718B est le KTB688B.

Substituts et équivalents pour le transistor KTD718B

Vous pouvez remplacer le transistor KTD718B par 2SC2581, 2SC2706, 2SC2837, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3280, 2SC3281, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3855, 2SC3907, 2SC4468, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1148, 2SD2155, 2SD998, FJA4310, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, KTD718, KTD998, MJW3281A, MJW3281AG ou NTE2328.
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