Transistor bipolaire 2SC5099
Caractéristiques électriques du transistor 2SC5099
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 6 A
- Dissipation de puissance maximum: 60 W
- Gain de courant (hfe): 50 à 180
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3PF
Brochage du 2SC5099
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SC5099
Version SMD du transistor 2SC5099
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC5099
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