Transistor bipolaire 2SB755-O

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -150 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -12 A
• Dissipation de puissance maximum: 120 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 160
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: MT-200

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB755-O peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du 2SB755 est compris entre 55 à 160, celui du 2SB755-R entre 55 à 110.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB755-O peut n'être marqué que B755-O.Le transistor NPN complémentaire du 2SB755-O est le 2SD845-O.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB755-O par 2SA1076, 2SA1095, 2SA1095-O, 2SA1169, 2SA1187, 2SA1215, 2SA1216, 2SA1493 ou 2SA1494.