Transistor bipolaire 2SB755

Caractéristiques électriques du transistor 2SB755

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 55 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: MT-200

Brochage du 2SB755

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB755 peut avoir un gain en courant continu de 55 à 160. Le gain en courant continu du 2SB755-O est compris entre 80 à 160, celui du 2SB755-R entre 55 à 110.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB755 peut n'être marqué que B755.

Complémentaire du transistor 2SB755

Le transistor NPN complémentaire du 2SB755 est le 2SD845.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB755

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB755 par 2SA1095, 2SA1169, 2SA1187, 2SA1215, 2SA1216, 2SA1493 ou 2SA1494.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com