Transistor bipolaire 2SB646-D

Caractéristiques électriques du transistor 2SB646-D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB646-D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB646-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB646 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB646-B entre 60 à 120, celui du 2SB646-C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB646-D peut n'être marqué que B646-D.

Complémentaire du transistor 2SB646-D

Le transistor NPN complémentaire du 2SB646-D est le 2SD666-D.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB646-D

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB646-D par 2SA1016, 2SA1016F, 2SA1016K, 2SA1016KF, 2SA1017, 2SA1017F, 2SA1123, 2SA1124, 2SA1207, 2SA1208, 2SA1275, 2SA1275-Y, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1319, 2SA1450, 2SA935, 2SA954, 2SA984K, 2SA984K-F, 2SB560, 2SB560-F, 2SB647, 2SB647D, HSB1109S, HSB1109S-D, KSA1013, KSA1013Y, KSA709C, KTA1275, KTA1275Y ou NTE383.
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