Transistor bipolaire 2SB562
Caractéristiques électriques du transistor 2SB562
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
- Tension collecteur-base maximum: -25 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
- Gain de courant (hfe): 85 à 240
- Fréquence de transition minimum: 350 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SB562
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB562
Version SMD du transistor 2SB562
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB562
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