Transistor bipolaire 2SB556

Caractéristiques électriques du transistor 2SB556

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 6 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB556

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB556 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 140. Le gain en courant continu du 2SB556-O est compris entre 70 à 140, celui du 2SB556-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB556 peut n'être marqué que B556.

Complémentaire du transistor 2SB556

Le transistor NPN complémentaire du 2SB556 est le 2SD426.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB556

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB556 par 2SA1041, 2SA1043, 2SA679, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB555, 2SB697, 2SB697K, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 ou MJ15004G.
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