Transistor bipolaire 2SB1110-B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
• Tension collecteur-base maximum: -200 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1110-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB1110 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB1110-C entre 100 à 200, celui du 2SB1110-D entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1110-B peut n'être marqué que B1110-B.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1110-B est le 2SD1610-B.Le BF623 (SOT-89) et BF823 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SB1110-B.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1110-B par 2SA1156, 2SA1156L, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, KSA1156, KSA1156O, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, KTA1703, KTA1703-O, MJE350 ou MJE350G.