Transistor bipolaire 2SA636-L

Caractéristiques électriques du transistor 2SA636-L

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 80 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 45 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-202

Brochage du 2SA636-L

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA636-L peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du 2SA636 est compris entre 40 à 250, celui du 2SA636-K entre 120 à 250, celui du 2SA636-M entre 50 à 100, celui du 2SA636-N entre 40 à 60.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA636-L peut n'être marqué que A636-L.

Complémentaire du transistor 2SA636-L

Le transistor NPN complémentaire du 2SA636-L est le 2SC1098-L.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA636-L

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA636-L par 2SA636A ou 2SA636A-L.
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