Transistor bipolaire 2SA1156M

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1156M

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -400 V
  • Tension collecteur-base maximum: -400 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SA1156M

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1156M peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SA1156 est compris entre 30 à 200, celui du 2SA1156K entre 100 à 200, celui du 2SA1156L entre 60 à 120, celui du 2SA1156N entre 30 à 60.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1156M peut n'être marqué que A1156M.

Complémentaire du transistor 2SA1156M

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1156M est le 2SC2752K.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1156M

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1156M par KSA1156 ou KSA1156R.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com