Transistor bipolaire 2N6729

Caractéristiques électriques du transistor 2N6729

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-237

Brochage du 2N6729

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6729

Le transistor NPN complémentaire du 2N6729 est le 2N6717.

Version SMD du transistor 2N6729

Le BCP53 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N6729.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6729

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6729 par 2N6730.
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