Transistor bipolaire 2N6729
Caractéristiques électriques du transistor 2N6729
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 2 W
- Gain de courant (hfe): 50 à 250
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-237
Brochage du 2N6729
Complémentaire du transistor 2N6729
Version SMD du transistor 2N6729
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6729
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