Transistor bipolaire 2N6717

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 2 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-237

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N6717 est le 2N6729.Le BCP56 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N6717.Le MPS6717, MPS6717G est la version TO-92 du 2N6717.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6717 par 2N6718.