Transistor bipolaire 2N6313

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6313 est le 2N4232A.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6313 par 2N6314, 2N6372 ou 2N6373.