Transistor bipolaire 2N6314

Caractéristiques électriques du transistor 2N6314

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 75 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-66

Brochage du 2N6314

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6314

Le transistor NPN complémentaire du 2N6314 est le 2N4233A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6314

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6314 par 2N6372.
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