Transistor bipolaire 2N5679

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -4 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 150
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-39

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N5679 est le 2N5681.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5679 par 2N5322, 2N5415, 2N5680 ou 2SA510.