Transistor bipolaire 2N5322

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 150
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-39

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N5322 est le 2N5320.