Transistor bipolaire 2N5629

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5629 est le 2N6029.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5629 par 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5672, BD317, MJ15003 ou MJ15003G.