Transistor bipolaire 2N5210

Caractéristiques électriques du transistor 2N5210

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Brochage du 2N5210

Le 2N5210 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor 2N5210

Le 2SC1623 (SOT-23), KSC1623 (SOT-23) et MMBT5210 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5210.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5210

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5210 par HS945, KSC945, KSP05, KSP06, KTC9014, KTC9014C, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G ou ZTX692B.
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