Transistor bipolaire 2N5210
Caractéristiques électriques du transistor 2N5210
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 50 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 600
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Figure de bruit maximum: 2 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Brochage du 2N5210
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor 2N5210
Substituts et équivalents pour le transistor 2N5210
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