Transistor bipolaire 2N2102
Caractéristiques électriques du transistor 2N2102
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -65 V
- Tension collecteur-base maximum: -120 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 35 à 150
- Fréquence de transition minimum: 60 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-39
Brochage du 2N2102
Substituts et équivalents pour le transistor 2N2102
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