Transistor bipolar MJE8502

Características del transistor MJE8502

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 700 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +125 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del MJE8502

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE8502

Puede sustituir el MJE8502 por el MJE8503.
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