Transistor bipolar MJE8503
Características del transistor MJE8503
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 800 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 1400 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 80 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 8
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +125 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del MJE8503
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