Transistor bipolar MJE8503

Características del transistor MJE8503

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 800 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1400 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +125 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del MJE8503

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
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