Transistor bipolar MJE5730G

Características del transistor MJE5730G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -300 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -300 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE5730G es la versión sin plomo del transistor MJE5730

Diagrama de pines del MJE5730G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE5730G

Puede sustituir el MJE5730G por el 2SA1009, 2SA1009A, MJE5730, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
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