Transistor bipolar KTD863-O

Características del transistor KTD863-O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -45 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD
  • Electrically Similar to the Popular 2SD863-D transistor

Diagrama de pines del KTD863-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTD863-O puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del KTD863 estará en el rango de 60 a 320, para el KTD863-GR estará en el rango de 160 a 320, para el KTD863-Y estará en el rango de 100 a 200.

Versión SMD del transistor KTD863-O

El 2SC3444 (SOT-89), 2SC3444-C (SOT-89), BCP55 (SOT-223), BSR40 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) y KST05 (SOT-23) es la versión SMD del transistor KTD863-O.

Transistor KTD863-O en envase TO-92

El 2SD863-D es la versión TO-92 del KTD863-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTD863-O

Puede sustituir el KTD863-O por el 2SC3243, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AB, 2SD667B, 2SD863 o 2SD863-D.
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