Transistor bipolar KTD863-O
Características del transistor KTD863-O
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 1 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
- Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -45 to +150 °C
- Encapsulado: TO-92MOD
- Electrically Similar to the Popular 2SD863-D transistor
Diagrama de pines del KTD863-O
Clasificación de hFE
Versión SMD del transistor KTD863-O
Transistor KTD863-O en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor KTD863-O
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