Transistor bipolar KTB1151-O
Características del transistor KTB1151-O
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB1151-L transistor
Diagrama de pines del KTB1151-O
Clasificación de hFE
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor KTB1151-O
Sustitución y equivalentes para el transistor KTB1151-O
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