Transistor bipolar KTA539-O
Características del transistor KTA539-O
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 240
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SA539O transistor
Diagrama de pines del KTA539-O
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor KTA539-O
Transistor KTA539-O en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor KTA539-O
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