Transistor bipolar NTE159
Características del transistor NTE159
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 250
- Frecuencia máxima de trabajo: 250 MHz
- Figura de ruido máxima: 3 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-92
Diagrama de pines del NTE159
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor NTE159
Sustitución y equivalentes para el transistor NTE159
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