Transistor bipolar KSE5020-O
Características del transistor KSE5020-O
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 500 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 800 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 30 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 40
- Frecuencia máxima de trabajo: 18 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del KSE5020-O
Clasificación de hFE
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