Transistor bipolar KSE5020

Características del transistor KSE5020

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 500 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 800 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 50
  • Frecuencia máxima de trabajo: 18 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del KSE5020

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSE5020 puede tener una ganancia de corriente de 15 a 50. La ganancia del KSE5020-O estará en el rango de 20 a 40, para el KSE5020-R estará en el rango de 15 a 30, para el KSE5020-Y estará en el rango de 30 a 50.
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