Transistor bipolar KSD363-R

Características del transistor KSD363-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 300 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD363-R transistor

Diagrama de pines del KSD363-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSD363-R puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del KSD363 estará en el rango de 40 a 240, para el KSD363-O estará en el rango de 70 a 140, para el KSD363-Y estará en el rango de 120 a 240.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSD363-R

Puede sustituir el KSD363-R por el 2SD363, 2SD363-R, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE5180, MJE5181, MJE5182, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
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