Transistor bipolar FJPF5027-R
Características del transistor FJPF5027-R
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 800 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 1100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 30
- Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular KSC5027-R transistor
Diagrama de pines del FJPF5027-R
Clasificación de hFE
Sustitución y equivalentes para el transistor FJPF5027-R
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