Transistor bipolar BDW52C

Características del transistor BDW52C

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDW52C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDW52C es el BDW51C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW52C

Puede sustituir el BDW52C por el 2N6287, 2N6287G, 2SA1041, 2SA1043, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722, 2SB723, 2SB723-C, BD318, MJ11017, MJ11019, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 o MJ15004G.
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