Transistor bipolar BDW51C

Características del transistor BDW51C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDW51C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW51C es el BDW52C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW51C

Puede sustituir el BDW51C por el 2N6284, 2N6284G, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2431, 2SC2433, 2SD753, 2SD753-C, BD317, MJ11018, MJ11020, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 o MJ15003G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com