Transistor bipolar BDW52B
Características del transistor BDW52B
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
- Disipación de Potencia Máxima: 125 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 150
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del BDW52B
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDW52B
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