Transistor bipolar BDW52B

Características del transistor BDW52B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDW52B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDW52B es el BDW51B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW52B

Puede sustituir el BDW52B por el 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA1041, 2SA1043, 2SA907, 2SA908, 2SB722, BD316, BD318, BDW52C, MJ11017, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 o MJ15004G.
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