Transistor bipolar BDT30F

Características del transistor BDT30F

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -40 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 19 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30 transistor

Diagrama de pines del BDT30F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT30F es el BDT29F.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT30F

Puede sustituir el BDT30F por el BD706, BD708, BD710, BD906, BD908, BD910, BDT30AF, BDT30BF, BDT42, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42F, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, TIP30, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30G, TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG o TIP42G.
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