Transistor bipolar BDT30BF

Características del transistor BDT30BF

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 19 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30B transistor

Diagrama de pines del BDT30BF

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT30BF es el BDT29BF.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT30BF

Puede sustituir el BDT30BF por el 2N6475, 2N6476, BD710, BD712, BD910, BD912, BDT30CF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, D44C10, D45C10, MJE5170, MJE5171, MJE5172, NTE292, TIP30B, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF o TIP42CG.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com