Transistor bipolar BCW69LT1G
Características del transistor BCW69LT1G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -50 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.3 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 260
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Figura de ruido máxima: 10 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- El BCW69LT1G es la versión sin plomo del transistor BCW69LT1
Diagrama de pines del BCW69LT1G
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BCW69LT1G
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