Transistor bipolar BCW69LT1G

Características del transistor BCW69LT1G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -50 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.3 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 260
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Figura de ruido máxima: 10 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23
  • El BCW69LT1G es la versión sin plomo del transistor BCW69LT1

Diagrama de pines del BCW69LT1G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BCW69LT1G es el BCW71LT1G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW69LT1G

Puede sustituir el BCW69LT1G por el 2SA1037, 2SA1037-Q, 2SA1162, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA1832, 2SA812, 2SB710A, BC807, BC856, BC857, BC860, BCW68, BCW69, BCW69LT1, BCW89, BCX17, FMMT2907A, FMMT2907AR, FMMT591, FMMT591Q, FMMTA55, FMMTA56, KN2907AS, KSA812, KST2907A, KST55, KST56, KTA1504, KTA1504S, KTN2907AS, MMBT200, MMBT2907A, MMBT4354, MMBT4355, MMBTA55, MMBTA56, PMBT2907A, PMBTA56, PMST2907A, SMBTA55, SMBTA56 o TMBT3906.
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