Transistor bipolar 2SD867
Características del transistor 2SD867
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 110 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 130 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 100 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 200
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +175 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del 2SD867
Marcado
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD867
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