Transistor bipolar 2SD809-F

Características del transistor 2SD809-F

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 300 a 480
  • Frecuencia máxima de trabajo: 85 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD809-F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD809-F puede tener una ganancia de corriente de 300 a 480. La ganancia del 2SD809 estará en el rango de 135 a 600, para el 2SD809-E estará en el rango de 360 a 600, para el 2SD809-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SD809-L estará en el rango de 135 a 270.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD809-F puede estar marcado sólo como "D809-F".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD809-F

Puede sustituir el 2SD809-F por el 2SD1348, 2SD1348-U, 2SD1682, 2SD1682-U, 2SD1683, 2SD1683-U, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 o MJE722.
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