Transistor bipolar 2SD809
Características del transistor 2SD809
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 10 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 600
- Frecuencia máxima de trabajo: 85 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SD809
Clasificación de hFE
Marcado
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD809
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