Transistor bipolar 2SD809

Características del transistor 2SD809

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 600
  • Frecuencia máxima de trabajo: 85 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD809

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD809 puede tener una ganancia de corriente de 135 a 600. La ganancia del 2SD809-E estará en el rango de 360 a 600, para el 2SD809-F estará en el rango de 300 a 480, para el 2SD809-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SD809-L estará en el rango de 135 a 270.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD809 puede estar marcado sólo como "D809".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD809

Puede sustituir el 2SD809 por el BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 o MJE722.
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