Transistor bipolar 2SD2390-O

Características del transistor 2SD2390-O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 12000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 55 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SD2390-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD2390-O puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 12000. La ganancia del 2SD2390 estará en el rango de 5000 a 30000, para el 2SD2390-P estará en el rango de 6500 a 20000, para el 2SD2390-Y estará en el rango de 15000 a 30000.

Equivalent circuit

2SD2390-O equivalent circuit

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD2390-O puede estar marcado sólo como "D2390-O".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD2390-O es el 2SB1560-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD2390-O

Puede sustituir el 2SD2390-O por el BDV67D, MJH11018, MJH11018G, MJH11020, MJH11020G, MJH11022 o MJH11022G.
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