Transistor bipolar 2SD1725-R

Características del transistor 2SD1725-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 180 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD1725-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1725-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD1725 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SD1725-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SD1725-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SD1725-R estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1725-R puede estar marcado sólo como "D1725-R".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1725-R es el 2SB1168-R.

Versión SMD del transistor 2SD1725-R

El BDP953 (SOT-223) y BDP955 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD1725-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1725-R

Puede sustituir el 2SD1725-R por el BD791 o MJE244.
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